SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場は、2024年に9900万米ドルと推定され、予測期間中のCAGRは8.5%で、2029年には1億4900万米ドルに達すると予測されている。パワーデバイスと熱管理ソリューションの需要急増は、SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場の成長に寄与する主要なドライバーである。これは、SiCウェーハの集積化によって達成できる電気伝導性と熱伝導性への要求が高まっているためである。さらに、電気自動車へのSiC基板の採用が増加しているのは、高電力密度、急速充電、走行距離の延長、システム全体の所有コストの削減に対するニーズが高まっているためであり、SiCオン絶縁体およびその他の基板の世界的な市場成長に寄与している。
市場動向
推進要因 パワーデバイスと熱管理ソリューションの需要急増
現在進行中の技術進歩、民生用および車載用電子機器の需要増加、再生可能エネルギー拡張と産業オートメーションに対するニーズの急増が、パワーデバイスと熱管理ソリューションの需要を牽引している。パワーデバイスと熱管理ソリューションにおけるSiCウェーハの需要の増加は、電気伝導性と熱伝導性に対する要求の高まりに起因しており、SiCウェーハは多様な用途に非常に適しています。したがって、パワーデバイスと熱管理ソリューションの需要急増は、SiC-on-insulatorと他の基板の市場成長を促進すると予想される。
阻害要因：SiC基板のコスト高
SiC基板に関連する高コストは、SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場の成長を妨げる。SiC基板の製造にかかるコストは、SiC-on-insulator技術の普及を妨げる要因となり得る。SiC基板の生産コストは、原材料の価格、生産工程でのエネルギー消費、SiC基板の製造に関わる複雑な製造方法など、さまざまな要因に影響される。SiC基板の初期コストが高いことは、SiCオン絶縁体ソリューションの全体的な費用対効果に影響を与える可能性があり、特定のアプリケーションでは利用しにくくなったり、経済的に実行できなくなったりするため、SiCオン絶縁体技術の市場導入が妨げられる。
機会： SiCオン基板ベースの太陽光発電システムに対するニーズの高まり
4H-、6H-などのさまざまなSiCポリタイプが、魅力的なフォトニック材料として台頭してきている。近年、SiCは、低い遠光子吸収や光学的透明性などのユニークなフォトニクス特性により、フォトニクスの分野で大きな注目を集めており、フォトニクス用途に対応するために、先進的なSiCオン絶縁体やSiCベースのプラットフォームに対する需要が高まっています。これらの先進的なプラットフォームは、線形、非線形光学システム、量子デバイス、集積量子フォトニック回路の大規模集積の製造工程で使用される可能性を秘めている。その結果、フォトニクス産業におけるSiCオン絶縁体やその他の基板は、新興市場となっている。
課題 SiC-on-insulatorやその他の基板に関連するプロセスの複雑さ
SiCオン絶縁体の製造プロセス、材料特性、熱伝導性などの重要な要因が、SiCオン絶縁体デバイスの製造プロセスに課題を投げかけている。さらに、SiC製品の製造は高価であるため、SiC-on-insulator基板の製造にかかる費用全体がかさむ。SiC-on-insulatorの製造プロセスでは、統合されたフォトニック材料プラットフォームを作成するための結晶SiCのイオンカット、層転写、ウェハボンディングなどの側面により、複雑さが生じる可能性がある。さらに、材料特性、特に効果的なハイブリッドフォトニック集積化のために低温で成膜される高品質のアモルファス炭化ケイ素への要求は、SiCオン絶縁体や他の基板の市場成長を阻害する可能性のある重要な考慮事項である。
SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場の主要プレーヤーは、Wolfspeed, Inc.（米国）、SICC Co. (Ltd.（中国）、SOITEC（フランス）、Coherent Corp. (Ltd.（台湾）である。これらの企業は、SiC-on-insulatorやその他の基板を提供することで、有機的および無機的な成長戦略を行い、グローバルに事業を拡大している。
予測期間中、SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場で最も高いCAGRを記録するのは導電性SiC基板である。
Wolfspeed, Inc.（米国）、Coherent Corp.（米国）、SOITEC. (Ltd.（中国）、Xiamen Powerway Advanced Material Co. (Ltd.（中国）は、パワーデバイスに広く使用されている導電性SiC基板を提供している。加えて、パワーエレクトロニクスにおけるSiC-on-insulatorやその他の基板の導入が拡大していることも、SiC-on-insulatorやその他の基板市場における導電性SiC基板の市場成長を促進すると予想される。
予測期間中、SiCオン絶縁体およびその他の基板市場で最大の市場規模を占めたのはパワーデバイスである。
SiCのユニークな特性は、より高い電圧で動作し、より高速にスイッチングし、より低温で動作する小型デバイスの開発を可能にする。さらに、SiC材料はSiよりもかなり高い臨界降伏電圧を示すため、薄いドリフト層の形成と高いドーピング濃度が可能になる。この結果、所定のダイ面積と定格電圧に対してオン抵抗が低くなり、パワー・デバイスにおける電力損失の減少を通じて効率の改善に寄与する。したがって、予測期間中、SiC-on-insulatorおよびその他の基板では、パワーデバイスの市場規模が最も大きくなると予想される。
2023年のSiC-on-insulator市場は、アジア太平洋地域が最大シェア。
予測期間中、アジア太平洋地域がSiC-on-insulatorおよびその他の基板市場を支配すると予測されている。SICC Co. (Ltd.（中国）、TankeBlue（中国）、Ruttonsha International Rectifier (RIR)（インド）などの主要企業が存在すること、電気自動車の普及に向けた政府主導の取り組みがアジア太平洋地域の市場成長を牽引する主な要因となっている。
主要企業
SiC-on-insulatorおよびその他の基板企業の主なプレーヤーには、Wolfspeed, Inc.（米国）、SICC Co. (Ltd.（中国）、SOITEC（フランス）、Coherent Corp. (Ltd.（台湾）である。 これらの企業は、製品投入、パートナーシップ、協定、協力、契約、買収、協力、拡大など、有機的および無機的な成長戦略を駆使して市場での地位を強化している。
この調査では、SiC-on-insulatorおよびその他の基板市場を、基板タイプ、用途、地域に基づいて地域レベルおよび世界レベルで区分している。
セグメント
サブセグメント
基板タイプ別
半絶縁性SiC基板
導電性SiC基板
用途別
パワーデバイス
RFデバイス
その他（レーザーダイオード、LED、アンプ、トランジスタ）
地域別
北米
米国
カナダ
メキシコ
欧州
英国
ドイツ
フランス
その他のヨーロッパ
アジア太平洋
中国
日本
インド
韓国
その他のアジア太平洋地域
その他の地域
南米
中東・アフリカ
湾岸諸国（GCC）
その他の中東・アフリカ地域
2023年5月、ウォルフスピード社は、乗用車、商用車、産業技術向けシステムを供給する世界的技術企業、ゼット・エフ・フリードリヒスハーフェン社（ZF Friedrichshafen AG）との欧州共同研究開発センターの設立を発表しました。この共同研究開発センターは、ニュルンベルク首都圏でSiCパワーエレクトロニクスを提供する。この欧州共同研究開発センターは、SiCシステム、製品、アプリケーションの画期的なイノベーションに焦点を当てる。
2023年5月、SICC株式会社は、SiC材料の供給元を多様化し、SiCソースに対する競争優位性を持つため、半導体製造会社であるInfineon Technologies AGとの合意を発表した。この合意により、同社はインフィニオン・テクノロジーズAGに高品質の150mmウェーハとブールを供給し、SiC基板を製造する。
2022年12月、SOITECと半導体受託製造・設計会社であるSTマイクロエレクトロニクスは、STマイクロエレクトロニクスの顧客であるテスラ社が、開発中の大型200mmウェハの形でSOITECのSiC基板技術を使用するという協力関係を発表した。
2023年10月、コヒレント社は、自動車部品製造会社の株式会社デンソーと電子・電気機器製造会社の三菱電機株式会社が、炭化ケイ素事業に約10億米ドルの投資を計画していると発表した。また、150mmおよび200mm基板とエピタキシャルウエハーの需要に対応するため、これら2社と長期供給契約を締結する予定である。
2020年6月、GlobalWafersは国立交通大学（NCTU）と協力し、6″-8″SiCとGaN技術を含む化合物半導体研究センターを設立し、SiCとGaN材料での高性能デバイス用途の結晶開発をサポートすると発表した。
【目次】
1 はじめに （ページ – 19）
1.1 調査目的
1.2 市場の定義
1.3 調査範囲
1.3.1 対象市場
図1 シックオン絶縁体およびその他基板市場のセグメンテーション
1.3.2 地域範囲
1.3.3 対象範囲と除外範囲
1.3.3.1 企業別
1.3.3.2 基板タイプ別
1.3.3.3 用途別
1.3.3.4 地域別
1.3.4 考慮した年数
1.3.5 通貨
1.4 制限事項
1.5 利害関係者
1.6 景気後退の影響
2 調査方法 （ページ – 24）
2.1 調査データ
図2 シックオン絶縁体およびその他の基板市場：調査デザイン
2.1.1 二次調査
2.1.1.1 主な二次情報源のリスト
2.1.1.2 二次ソースからの主要データ
2.1.2 一次調査
2.1.2.1 専門家への一次インタビュー
2.1.2.2 一次インタビュー参加者リスト
2.1.2.3 プライマリーの内訳
2.1.2.4 一次ソースからの主要データ
2.1.2.5 主要な業界インサイト
2.1.3 二次調査および一次調査
2.2 市場規模の推定方法
2.2.1 ボトムアップアプローチ
2.2.1.1 ボトムアップ分析（需要側）による市場規模導出のアプローチ
図3 シックオン絶縁体・その他基板市場：ボトムアップアプローチ
2.2.2 トップダウンアプローチ
2.2.2.1 トップダウン分析による市場規模導出のアプローチ（供給側）
図4 シックオン絶縁膜・その他基板市場：トップダウンアプローチ
2.3 要因分析
2.3.1 サプライサイド分析
図5 市場規模推計手法：サプライサイド分析（アプローチ1）
図6 市場規模推定手法：サプライサイド分析（アプローチ2）
2.3.2 成長予測の前提
表1 シックオン絶縁膜・その他基板市場の成長前提
2.4 景気後退の影響
2.5 市場の内訳とデータの三角測量
図7 シックオン絶縁膜・その他基板市場：データ三角測量
2.6 リサーチの前提
表2 シックオン絶縁体・その他基板市場：調査前提
2.7 リスク評価
表3 シックオン絶縁膜・その他基板市場：リスク評価
3 EXECUTIVE SUMMARY（ページ – 37）
図8 シックオン絶縁体およびその他の基板市場規模（2020～2029年
図9 導電性SIC基板は予測期間中に高いCAGRを記録する
図 10 予想期間中、パワーデバイス用途がシックオン絶縁膜およびその他基板市場を支配する
図11 2023年にSIC基板およびその他基板市場で最大のシェアを占めたのはアジア太平洋地域
4 PREMIUM INSIGHTS (ページ – 41)
4.1 シックオン絶縁膜およびその他の基板市場におけるプレーヤーの魅力的な機会
図12 電気自動車需要の急増がシックオン絶縁膜・その他基板市場の成長を促す
4.2 シックオン絶縁膜およびその他の基板市場、用途別
図 13 2029 年にはパワーデバイス用途がシックオン絶縁膜およびその他基板市場で最大シェアを占める
4.3 シックオン絶縁膜およびその他基板市場：基板タイプ別
図 14 2029 年には導電性 SIC 基板が大きなシェアを占める
5 市場概観（ページ番号 – 43）
5.1 はじめに
5.2 市場ダイナミクス
図 15 シックオン絶縁基板とその他の基板市場：促進要因、阻害要因、機会、課題
5.2.1 推進要因
5.2.1.1 パワーマネージメントおよびサーマルマネージメントデバイスへの需要の高まり
5.2.1.2 通信機器の性能効率を高めるためのSiC基板の使用増加
5.2.1.3 持続可能なモビリティ・ソリューションへの嗜好の高まり
図 16 米国における電気自動車の販売台数（2019～2021 年
図17 シックオン絶縁体およびその他の基板市場：推進要因とその影響
5.2.2 阻害要因
5.2.2.1 高い製造コスト
図18 シックオン絶縁体およびその他の基板市場：阻害要因とその影響
5.2.3 機会
5.2.3.1 フォトニクス産業におけるSiC基板需要
5.2.3.2 バイオ医療機器向けSiC-on-insulator基板の研究開発の増加
図 19 SiC-on-insulator およびその他の基板市場：機会とその影響
5.2.4 課題
5.2.4.1 複雑な製造プロセスと不十分な熱伝導性
図 20 シックオン絶縁体およびその他の基板市場：課題とその影響
5.3 サプライチェーン分析
図21 シックオン絶縁体・その他基板市場：サプライチェーン分析
5.4 エコシステム/市場マップ
図22 シックオン絶縁膜およびその他基板のエコシステム
表4 シックオン絶縁膜およびその他基板のエコシステムにおける企業とその役割
5.5 顧客のビジネスに影響を与えるトレンド／混乱
5.6 技術分析
5.6.1 先端シックオンインシュレーターとシックベースのプラットフォーム
5.6.2 アモルファスSIC基板
5.7 特許分析
表5 シックオン絶縁体およびその他の基板市場：2023年1月～12月に出願された特許
図 23 シックオン絶縁膜およびその他基板市場：取得特許数（2013～2023 年
図24 シックオン絶縁体およびその他基板市場：特許出願件数の多い上位10社（2013～2023年
表6 シックオン絶縁体およびその他基板市場：特許所有者上位20社（2013～2023年
表7 シックオン絶縁体およびその他の基板に関連する主要特許
5.8 ポーターのファイブフォース分析
図25 シックオン絶縁膜およびその他の基板市場：ポーターの5つの力分析
図26 シックオン絶縁膜およびその他基板市場：ポーターの5つの力の影響
表8 シックオン絶縁体およびその他基板市場：ポーターの5つの力分析
5.8.1 新規参入の脅威
5.8.2 代替品の脅威
5.8.3 供給者の交渉力
5.8.4 買い手の交渉力
5.8.5 競合の激しさ
5.9 規格と規制の状況
5.9.1 規格
5.9.2 規制
5.9.2.1 アジア太平洋
5.9.2.2 北米
5.9.2.3 欧州
5.10 主要会議・イベント（2024～2025年
表9 シックオンインシュレータとその他の基板市場：会議・イベント一覧（2024～2025年
6 シックオンインシュレータとその他の基板材料 (ページ数 – 63)
6.1 導入
6.2 SI
6.3 SIO2
6.4 その他の素材
7 SIC-オン-インシュレーターとその他の基材ウェーファーサイズ （ページ番号 – 65）
7.1 はじめに
7.2 100 MM
7.3 150 MM
7.4 200 MM
…
【本レポートのお問い合わせ先】
www.marketreport.jp/contact
レポートコード：SE 8907
